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国家自然科学基金“集成电路3~5纳米节点器件基础问题研究”应急管理项目申报通知

【来源:科技处 | 发布日期:2018-09-28 | 作者:基础办 】     【选择字号:

未来几年,集成电路工艺节点有望推进到3~5 nm,功耗问题越来越成为制约集成电路发展的瓶颈。以新材料、新结构和新原理为主要特征的超低功耗微电子器件技术,可提供集成电路发展的新途径。为了推动我国微电子器件基础研究,促进集成电路技术的发展,培养微电子创新研究队伍,国家自然科学基金委员会启动集成电路3~5 nm节点器件基础问题研究应急管理项目。
  一、拟资助领域和主要研究内容
  本次启动项目主要面向3~5 nm节点器件基础问题,包括新材料、新结构和新原理,设立若干主题,鼓励原始创新,支持科学家开展相关研究。
  传统MOSFET器件的亚阈值摆幅受热力学限制存在理论极限(室温下最小为60 mV/decade),即玻尔兹曼限制,这一限制成为阻碍器件功耗降低的关键因素。基于带带隧穿导通机制的量子隧穿晶体管、基于铁电材料极化转变的负电容晶体管等新原理器件技术,有望突破玻尔兹曼限制,实现具有更低功耗的信息处理器件。
  基于“冯?诺依曼”体系的计算机架构中计算与存储相互分离,计算速度和存储信息读写速度之间存在巨大的鸿沟,被称为“存储墙”问题,该问题导致整个芯片系统的性能下降和功耗增加。突破“存储墙”限制的关键途径是发展高性能、低功耗非易失存储器件和存储-计算融合的新原理器件。
  基于异质材料体系的器件集成存在着不同材料的多种物理失配问题,这些问题制约了器件向高性能、低功耗和集成化方向发展。解决异质集成中的失配问题,需要研究晶圆级单晶薄膜硅基异质集成等技术,实现能量有效转换和不同材料体系下的协同匹配。
  围绕上述科学问题,本应急管理项目拟重点支持以下研究方向:
  (1)突破CMOS器件亚阈值摆幅玻尔兹曼限制的新机制和器件技术;
  (2)突破现行计算机架构“存储墙”限制的新机制和器件技术;
  (3)突破异质集成中多种物理失配限制的新材料和器件技术。
  二、2018年度资助计划
  2018年度针对上述研究方向,拟择优资助6项,每项直接费用的平均资助强度为300万元,资助期限为3年,申请书中的研究期限应填写“2019年01月01日-2021年12月31日”。
  三、申报要求及注意事项
  (一)申报要求。
  1. 本应急管理项目要求坚持问题导向,强化需求牵引,注重交叉融合, 鼓励高校与研究院所等联合申请,提出独到的创新思路。
  2. 项目申请人根据本指南发布的研究方向选择相应的研究主题。
  3. 项目申请人应具有高级专业技术职务(职称)。
  (二)限项规定。
  本应急管理项目不受具有高级专业技术职务(职称)的人员申请(包括申请人和主要参与者)和正在承担(包括负责人和主要参与者)的项目总数合计限为3项的限制。
  (三)申请注意事项。
  1. 申请人在填报申请书前,应当认真阅读本指南和《2018年度国家自然科学基金项目指南》中申请须知的相关内容,不符合指南相关要求的申请项目不予受理。
  2. 申请人登录科学基金网络信息系统https://isisn.nsfc.gov.cn/撰写申请书。申请代码1选择 F04;“资助类别”选填“应急管理项目”;亚类说明选填“委综合管理项目”;附注说明选填“研究类项目”。正文部分按照“重点项目申请书撰写提纲”撰写。申请书正文开始请注明“研究方向:xxx(即:上述三个研究方向之一)”。以上选择不准确或未选择的项目申请将不予受理。
  3. 申请人应根据《国家自然科学基金资助项目资金管理办法》的有关规定,以及《国家自然科学基金项目资金预算表编制说明》的具体要求,按照“目标相关性、政策相符性、经济合理性”的基本原则,认真编制《国家自然科学基金项目资金预算表》。
    4.申请书提交时间。
    我校有申请意向的申请人应提前与科技处联系,并于2018年10月12日前完成并提交电子版申请书,并联系科技处联系人审核,待科技处审核提交后,打印申请书一式两份及附件,签字后由学院报送至科学技术处基础办(贵勤楼410),务必保证纸质申请书与电子版内容一致。
   (四)联系方式。
    科技处联系方式:
    联系人:孙烜 张春
    联系电话:8912106
    Email:zrkxk@lzu.edu.cn
    信息科学部联系方式:
    国家自然科学基金委员会信息科学四处
    联系人:潘庆
    联系电话:010-62327140
    电子邮件:panqing@nsfc.gov.cn
科学技术处
2018年9月28日
 
 
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